Курсы по программированию

Формула программиста

основатель — Волосатов Евгений Витольдович
Поздравляю с 1 сентября! Система начисления Байтов работает.

 25450

-- MaxB

Нанософт / Прохождение теста

  • На этом уроке мы создадим программу для организации тестов,
    напишем алгоритм загрузки вопросов и вариантов ответов из файла,
    будем их перемешивать, проверять ответы, подсчитывать результаты.

    Задание:
    Придумать 5 вопросов и написать тестирующую программу.
  • Дата отправки отчёта: 26 января 2021 г.
  • Задание выполнено: за 2 час. 22 мин.
  • Чему научился: Благодарю за урок.
    Вопросы для теста.
    Правильный вариант у первого ответа:
    1. Какой полупроводник обладает электронной электропроводностью и называется полупроводником n-типа?
    а. У которого концентрация примесных атомов донорного типа существенно превышает концентрацию акцепторных примесных атомов.
    б. Чистый полупроводник без примесных атомов любого типа.
    в. У которого концентрации примесных атомов акцепторного и донорного типов равны.
    2. Какое включение p-n перехода называется прямым?
    а. Плюс внешнего источника  к p-области, минус к n-области
    б. Увеличивающее потенциальный барьер в p-n переходе.
    в. Плюс внешнего источника к n-области, минус - к p-области.
    3. Какое включение p-n перехода называется обратным?
    а. Плюс внешнего источника к n-области, минус - к p-области.
    б. Способствующее движению подвижных носителей заряда к p-n переходу.
    в. Уменьшающее высоту потенциального барьера в p-n переходе.
    4. В чем заключается режим инжекции носителей заряда в p-n переходе?
    а. Введение через p-n переход в прилегающие к нему области неосновных для этих областей носителей заряда при прямом напряжении на переходе.
    б. Движение носителей заряда под действием электрического поля.
    в. Выведение неосновных носителей заряда из прилегающих к p-n переходу областей через переход с помощью ускоряющего электрического поля.
    5. В чем заключается режим экстракции носителей заряда в p-n переходе?
    а. Введение через p-n переход в прилегающие к нему области неосновных для этих областей носителей заряда при прямом напряжении на переходе.
    б. Движение носителей заряда под действием электрического поля.
    в. Выведение неосновных носителей заряда из прилегающих к p-n переходу областей через переход с помощью ускоряющего электрического поля.
  • Что было сложным: Все понятно.
  • Оценка видео-уроку:
Отчёт от 25450 за Нанософт / Прохождение теста




Оцени работу

 
Сохранить страницу:

  • Отчёт оценивали:
    25450MaxB+1   21174Антон+1   24765Anatoli+1   791Валерий Жданов+1   20084София0   1232Фомичева Наталья+1   10558Иван Воронин+1   11582Родион+1   689Igorenzia+1   18716Nicros+1  

Начинаем практику по языку C#





Если вы пришли без приглашения -
введите тысяча двадцать четыре (цифрами).
Чтобы стать хорошим программистом — нужно писать программы. На нашем сайте очень много практических упражнений.

После заполнения формы ты будешь подписан на рассылку «C# Вебинары и Видеоуроки», у тебя появится доступ к видеоурокам и консольным задачам.

Несколько раз в неделю тебе будут приходить письма — приглашения на вебинары, информация об акциях и скидках, полезная информация по C#.

Ты в любой момент сможешь отписаться от рассылки.


Научился: Все было понятно, но без трудностей не обошлось.
Трудности: Сложно было отобразить текст в программе, что я с ним только не делал. Но все таки железо, я переборол.
Спасибо!


Научился: Работать с массивами
Очень интересный урок. Особенно понравилось перемешивание ответов.